半导体级晶体生长炉  KX170MCZ-大连连城数控机器股份有限公司
所在位置: 首页 - 产品中心-半导体类
半导体级晶体生长炉 KX170MCZ

半导体级晶体生长炉  KX170MCZ-大连连城数控机器股份有限公司

  • 最优化的3-6英寸CZ单晶生长方案
  • 领先的全数字控制系统
  • 先进的热场设计

半导体级晶体生长炉  KX170MCZ
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 单晶直径   150-230 mm (6-10 in)
  Pull Chamber Height  副室高度   2108 mm (83 in)
  Throat Diameter 喉口直径   305 mm (12 in)
  Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩锅最大行程   500 mm (19.6 in )
  Crucible Lift Rate 坩锅提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩锅快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩锅旋转速率(可逆)   0-20 rpm
  CUPS 主真空泵   1000 Gs

Silicon Charge Capacity硅投料量
  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 热场尺寸取决于坩锅直径
  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系统可提高装料量
  Crucible Diameter*
  坩埚直径
  Crucible Height*
  坩埚高度
  Charge Size Cold Pack
  冷装投料量
  Enhanced Charge**
  复投装料量
  24.0 in   16.33 in   170 kg   210 kg
  22.0 in   16.33 in   120 kg   150 kg

返回
北京赛车pk开奖直播手机版富贵
福建快三 体球即时比分网 世界杯亚盘即时赔率 陕西快乐10分 宁夏十一选五 安徽十一选五 7m体育比分直播 2013itf网球比分 篮球比分网 20120319天下足球直播 山西十一选五 访问出错或页面为空 皇冠足球指数全讯网 7m篮球比分网 湖北快3 新疆十一选五