鍺單晶生長爐KX100-Ge -大連連城數控機器股份有限公司'
所在位置: 首頁 - 產品中心-半導體類
鍺單晶生長爐KX100-Ge

鍺單晶生長爐KX100-Ge -大連連城數控機器股份有限公司'

  • 最優化的4-8英寸CZ法鍺單晶生長方案
  • 領先的全數字控制系統
  • 先進的熱場設計
  • 國際上鍺晶體生長公司的首選

鍺單晶生長爐KX100-Ge
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 單晶直徑   100-200 mm(4-8")
  Pull Chamber Height 副室高度   1750 mm (69”)
  Throat Diameter 喉口直徑   305 mm (12”)
  Furnace Diameter 爐室內徑   865 mm
  Seed Lift Rate 籽晶提升速率   0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   380 mm (15")
  Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm

Silicon Charge Capacity硅投料量
  Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 熱場尺寸取決于坩鍋直徑
  Crucible Diameter
  坩鍋直徑
  Crucible Height
  坩鍋高度
  Charge Size
  投料量
  20.0 in   15.0 in   120 kg
返回
北京赛车pk开奖直播手机版富贵
乐清期货配资 脱犾者川上奈夕美 互联网理财平台有哪些 股票学习网 快速赛车 江苏十一选五一定牛 幸运飞艇计划qq群 冲田杏梨在线无码观看 内蒙古通辽麻将作弊器 云南11选5开奖时 宁夏划水麻将 虎扑独行侠专区 手机麻将作弊软件免费 票据理财平台比较 体彩重庆百变王牌开奖结果 佐佐木希全部作品番号封面